蔡楚杰
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AOS/美国万代
D414
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
1250(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
mosfet场效应管
电力场效应晶体管
mosfet型号
低压mosfet
场效应NTD20N06
供应高压场效应管6R160CP
供应场效应IPDH6N03LA
供应场效应管IPD640N06LG
供应场效应HUF76129D3S
供应场效应2SK3991
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