场效应NTD20N06
地区：广东 汕头
认证：
无
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产品属性
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| 品牌：ON/*童/NXP | 型号：NTD20N06 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：MW/微波 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：45（μS） | *间电容：45（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | *大漏*电流：45（mA） | *大耗散功率：45（mW） |
原装供应场效应NTD20N06
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