供应场效应IPDH6N03LA
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INFINEON/英飞凌
IPDH6N03LA
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
45（V）
45（V）
45（μS）
3（pF）
30（dB）
30（mA）
30（mW）
