蔡楚杰
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FUJI/富士通
K3272
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
D/变频换流
SMD(SO)/表面封装
HEMT高电子迁移率
30(V)
45(μS)
45(pF)
45(dB)
45(mA)
45(mW)
mosfet引脚
低压mosfet
mosfet型号
电力场效应晶体管
供应场效应管STB60NF06
供应场效应管2SK4057-ZK
供应场效应管IPB042N03LG
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