蔡楚杰
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0N/安森美
V8406G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
60(V)
24(μS)
780(pF)
24(dB)
500(mA)
6900(mW)
电力场效应晶体管
mosfet型号
mosfet引脚
低压mosfet
场效应管IRLR8729
供应场效应管AOD424
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