场效应40CPQ100
地区：广东 汕头
认证：
无
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产品属性
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| 品牌：IR/国际整流器公司 | 型号：40CPQ100 | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MW/微波 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GaAS-FET砷化镓 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：45（μS） | *间电容：45（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | *大漏*电流：45（mA） | *大耗散功率：45（mW） |
原装08年*供应场效应40CPQ100
原装08年*供应场效应40CPQ100
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