蔡楚杰
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AOS/美国万代
AOD424
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
40(V)
24(μS)
3450(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
mosfet引脚
mosfet场效应管
低压mosfet
mosfet型号
场效应IRL3302S
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供应东芝高压场效应管K3564
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场效应PHD20N06
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