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供应场效应K2661

地区：广东 汕头
认证： 无

蔡楚杰

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原装供应场效应K2661

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品牌

TOSHIBA/东芝

型号

K2661

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

30（V）

夹断电压

30（V）

跨导

45（μS）

*间电容

45（pF）

低频噪声系数

45（dB）

漏*电流

45（mA）

耗散功率

45（mW）