蔡楚杰
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TOSHIBA/东芝
2SK4002
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
24(μS)
450(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
电力场效应晶体管
mosfet型号
mosfet引脚
mosfet场效应管
高压场效应管STB23NM60ND(图)
供应场效应管FCD9N60N
供应*童场效应管FDD6680A
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场效应管P080*D
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