蔡楚杰
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TOSHIBA/东芝
2SK3564
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
900(V)
23(μS)
560(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
mosfet型号
电力场效应晶体管
mosfet场效应管
恒泰柯功率MOSFET
供应场效应IRF3707ZCS
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供应场效应管IPB023N04NG
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