供应 13005 TO-220(图)

地区:广东 深圳
认证:

深圳市威国科技发展有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

应用:*灯,电子镇流器,电子变压器,开关电源。

特点:耐压高,开关速度快,*工作区宽,*合ROHS规范。

 芯片面积:2.52*2.52      欢迎来电咨询!

 

 

 

MJE13005  TRANSISTOR(NPN)

1:FEATUR*

  Power  switching  applications

2:MAXIMUM  RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)

symbol

parameter

value

units

Vcbo 

Collector-Base Voltage

700

V

Vceo 

Collector-Emitter Voltage

400

V

Vebo 

Emitter-Base Voltage

9

V

Ic

Collector Current-ContinuousDC

4

A

Ic

Collector Current-Continuous(Pulse)

8

A

IB

Base  Current

2

A

Pc

Collector Power Dissipation

75

W

TJ

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-55-150

3:ELE*RICAL CHARA*ERISTICS (Tamb=25unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

V(BR)cbo

IC=1mA  IE=0

700

 

 

V

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)ceo

IC=10mA  IB=0

400

 

 

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)ebo

IE=1mA  IC=0

9

 

 

V

Collector cut-off Current

Icbo

Vcb=700V IE=0

 

 

1

mA

Collector cut-off Current

Iceo

Vce=400V IB=0

 

 

0.1

mA

Emitter cut-off Current

Iebo

Veb=9V IC=0

 

 

1

mA

DC Current gain

hEF(1)

Vce=5V IC=1A

Vce=5V  IC=2A

10+

8

 

40

40

 

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

IC=1A  IB=0.2A

IC=4A   IB=1A

 

 

0.5

1

V

Base -emitter saturation voltage

VBE(sat)

IC=2A  IB=0.5A

 

 

1.6

V

Transition frequency

fT

Vce=10VIC=500mA f=1MHZ

4

 

 

MHZ

Fall time

tf

VCC=5V  IC=0.5A

UI9600  IC=0.5A

 

 

0.8

US

Storage time

ts

2

 

5

US

4:CLASSIFICATION OF hEF(1)

Rank

 

 

 

 

 

 

 

 

Range

8-15

15-18

18-20

20-23

23-25

25-28

28-30

30-40

5:PIN ARRAY

      1.BASE   2.COLLE*OR   3.EMITTER

 

 

"
品牌/商标

SI

型号/规格

MJE13005

应用范围

功率

材料

锗(Ge)

*性

NPN型

击穿电压VCBO

700(V)

集电*允许电流ICM

4(A)

集电*耗散功率PCM

75(W)

截止频率fT

4(MHz)

结构

平面型

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装