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制造商: Diodes Incorporated DMTH6016LFVWQ-13
产品种类: MOSFET
RoHS: ? 详细信息
技术: Si DMTH6016LFVWQ-13
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI3333-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 41 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 15.1 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 2.38 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: DMTH6016
封装: Reel DMTH6016LFVWQ-13
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 5.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.3 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14.3 ns
典型接通延迟时间: 3.9 ns
单位重量: 30 mg
DMTH6016LFVWQ-13
DMTH6016LFVWQ-13
DIODES
PowerDI3333
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装