DMN10H170SVT-7 全新原装 DIODES 优势热卖

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制造商:   Diodes Incorporated  DMN10H170SVT-7  
产品种类:   MOSFET     
RoHS:  ? 详细信息   
技术:   Si  DMN10H170SVT-7  
安装风格:   SMD/SMT    
封装 / 箱体:   TSOT-26-6    
晶体管极性:   N-Channel    
通道数量:   1 Channel    
Vds-漏源极击穿电压:   100 V    
Id-连续漏极电流:   2.6 A    
Rds On-漏源导通电阻:   115 mOhms    
Vgs - 栅极-源极电压:   - 20 V, %2B 20 V    
Vgs th-栅源极阈值电压:   1 V    
Qg-栅极电荷:   9.7 nC    
zui小工作温度:   - 55 C    
zui大工作温度:   %2B 150 C 
Pd-功率耗散:   1.2 W    
通道模式:   Enhancement    
系列:   DMN10  DMN10H170SVT-7  
封装:   Reel    
封装:   Cut Tape    
封装:   MouseReel    
商标:  Diodes Incorporated   
配置:  Single   
下降时间:  12 ns   
高度:  1 mm   
长度:  2.9 mm   
产品类型:  MOSFET   
上升时间:  11 ns   
工厂包装数量:   3000   
子类别:  MOSFETs   
晶体管类型:  1 N-Channel   
典型关闭延迟时间:  42 ns   
典型接通延迟时间:  10 ns   
宽度:  1.6 mm   
单位重量:  8 mg 
DMN10H170SVT-7