DMG4435SSS-13 全新原装 DIODES 优势热卖

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制造商:   Diodes Incorporated   DMG4435SSS-13 
产品种类:   MOSFET     
RoHS:  ? 详细信息   
技术:   Si     DMG4435SSS-13
安装风格:   SMD/SMT    
封装 / 箱体:   SOIC-8    
晶体管极性:   P-Channel    
通道数量:   1 Channel    
Vds-漏源极击穿电压:   30 V    
Id-连续漏极电流:   7.5 A    
Rds On-漏源导通电阻:   20 mOhms    
Vgs - 栅极-源极电压:   - 25 V, %2B 25 V    
Vgs th-栅源极阈值电压:   2.5 V    
Qg-栅极电荷:   35.4 nC    
zui小工作温度:   - 55 C    
zui大工作温度:   %2B 150 C    
Pd-功率耗散:   2.5 W 
通道模式:   Enhancement    
系列:   DMG4435    
封装:   Reel    DMG4435SSS-13
封装:   Cut Tape    
封装:   MouseReel    
商标:  Diodes Incorporated   
配置:  Single   
下降时间:  22.8 ns   
正向跨导 - zui小值:  22 S   
产品:  MOSFET Small Signal   
产品类型:  MOSFET   
上升时间:  12.7 ns   
工厂包装数量:   2500   
子类别:  MOSFETs   
晶体管类型:  P-Channel   
典型关闭延迟时间:  44.9 ns   
典型接通延迟时间:  8.6 ns   
单位重量:  750 mg 
DMG4435SSS-13