无锡固电ISC 供应2SD986晶体管
地区：江苏 无锡
认证：
无
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产品属性
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2SD986三*管，TO-126
D*CRIPTION
·Collector–Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min.)
·DC Current Gain-
: hFE= 2000(Min) @ IC= 1A
·LowCollector Saturation Voltage
·Complement to T*e 2*795
APPLICATIONS
·They are suitable for use to operate from IC without
predriver, such as hammer driver.
SY*OL | PARAMETER | VALUE | UNIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VCBO | Collector-Base Voltage | 150 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VCEO | Collector-Emitter Voltage | 80 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VEBO | Emitter-Base Voltage | 8 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IC | Collector Current-Continuous | 1.5 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ICM | Collector Current-Pulse | 3.0 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IB | Base Current | 0.15 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PC | Collector Power Dissipation Ta=25℃ | 1.0 | W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Collector Power Dissipation TC=25℃ | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ti | Junction Temperature | 150 | ℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tstg | StorageTemperature Range | -55~150 | ℃ ELE*RICAL CHARA*ERISTICSTC=25℃unless otherwise specified
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
是
ISC
2SD986
达林顿
硅(Si)
1.5（A）
10（W）
平面型
直插型
塑料封装
