无锡固电iscsemi 供应2N3445

地区:江苏 无锡
认证:

无锡固电半导体股份有限公司

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D*CRIPTION                                              

·Excellent Safe Operating Area

·DC Current Gain-hFE= 20-60@ IC= 3A

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS)= 60V(Min)

 

 

APPLICATIONS

·Designed for switching and amplifier applications.

  

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SY*OL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

80

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

60

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

6

V

IC

Collector Current-Continuous

7.5

A

IB

Base Current-Continuous

4

A

PC

Collector Power Dissipation@TC=25

115

W

TJ

Junction Temperature

200

Tstg

Storage Temperature

-65~200

"
是否提供**

品牌/商标

iscsemi

型号/规格

2N3445

应用范围

放大

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCBO

60(V)

集电*允许电流ICM

7.5(A)

集电*耗散功率PCM

115(W)

结构

平面型

封装形式

TO-3

封装材料

金属封装