场效应管|高压场效应管MOS管FNK55H11

器件简介

场效应管是常见的电子元件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

操作模式

NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGSVth的关系
MOSFET在线性区操作的截面图
MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极，与漏极等三个端点施加的“偏压”（bias）不同，一个常见的加强型（enhancement mode）N型 MOSFET有下列三种操作区间：截止或次临限区（cut-off or sub-threshold region）　当栅极和源极间的电压VGS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold voltage,Vth）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。
但事实上当VGS>Vth、且VDS=0，一些拥有大量MOSFET的集成电路产品，如DRAM，次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。

惠州乾野电子产品的核心竞争力

1.      沿用AOS的研发设计，工艺和生产。

2.      专注从事驱动马达领域10年。

3.      特种封装，超薄，超小

4.      良好的性价比

5.      可为客户量身订做特殊产品

　　公司是中国首家研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球最具价值的功率半导体器件与服务供应商。

　　产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。

　　专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。

　　买家须知：

　　如有意购买产品请联系我方负责人员，在线或电话交流。请广大朋友联系我方负责人员，询问需购买的商品情况、库存、等一些情况，这样才能让您准确的获知商品的情况，也才能减少与避免不必要的误会。

　　关于价格问题:

　　信息中价格为我公司大致批发价格，朋友们如果有意大量购买，或特殊情况，请联系我们详谈。

　　关于发货:

　　我们会在确认合作方式以及合作达成时为您发货。发货打包我们都有专人严格检查商品的质量的，请放心购买。