乾野电子成功的*是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与*的8"芯片*厂、封装与测试*厂的紧密合作，通过*产品在生产和测试过程中的质量控制，*大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。
场效应管的主要参数
Idss - 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型*缘栅场效应管中，栅*电压UGS=0时的漏源电流。
Up - 夹断电压。是指结型或耗尽型*缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅*电压。
Ut - 开启电压。是指增强型*缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅*电压。
gM - 跨导。是表示栅源电压UGS - 对漏*电流ID的控制能力，即漏*电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
BVDS - 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS*时，场效应管正常工作所能承受的*大漏源电压。这是一项*限参数，加在场效应管上的工作电压*须小于BVDS.
PDSM - *大耗散功率，也是一项*限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的*大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有*余量。
IDSM - *大漏源电流。是一项*限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的*大电流。场效应管的工作电流不应*过IDSM
MOSFET的概述
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的*个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅*（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅*使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅*开始重新使用金属。
