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mos管8205是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET。
结构 一个NMOS晶体管的立体截面图左图是一个N型 MOSFET(以下简称NMOS)的截面图。如前所述,MOSFET的核心是位于中央的MOS电容,而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为N型(即NMOS)或是同为P型(即PMOS)。右图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表著两个意义:⑴N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;⑵“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavily doped region),也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开,也就是所谓的基极(或称基体)区域。如果是NMOS,那么其基体区的掺杂就是P型。反之对PMOS而言,基体应该是N型,而源极与漏极则为P型(而且是重(读作zhong)掺杂的P+)。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高,故在右图中没有“+”。 对这个NMOS而言,真正用来作为通道、让载流子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上,带负电的电子就会被吸引至表面,形成通道,让N型半导体的多数载流子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除,或是放上一个负电压,那么通道就无法形成,载流子也无法在源极与漏极之间流动。 假设操作的对象换成PMOS,那么源极与漏极为P型、基体则是N型。在PMOS的栅极上施加负电压,则半导体上的空穴会被吸引到表面形成通道,半导体的多数载流子—空穴则可以从源极流向漏极。假设这个负电压被移除,或是加上正电压,那么通道无法形成,一样无法让载流子在源极和漏极间流动。 特别要说明的是,源极在MOSFET里的意思是“提供多数载流子的来源”。对NMOS而言,多数载流子是电子;对PMOS而言,多数载流子是空穴。相对的,漏极就是接受多数载流子的端点。
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