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产品属性
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参数
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 40V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 18A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 5 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 4500pF @ 20V
功率 - *大值 2.5W
应用
用于笔记本电脑的同步MOSFET
处理器电源
次级同步整流
用于隔离型DC-DC转换器
非隔离同步FET
DC-DC转换器
无铅
优点
*低的RDS(ON),在4.5VVGS
低栅*电荷
充分界定雪崩电压
封装图片展示
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF7842TRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
S/开关
N沟道
增强型
2.5W
18A
40V