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产品属性
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参数
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 7.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 22 毫欧 @ 4.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1530pF @ 25V
功率 - *大值 2.5W
应用
高频率DC-DC转换器
优点
低栅*漏*电荷减少开关损耗
充分界定电容包括
*COSS为了简化设计,(见应用程序。注AN1001)
充分界定雪崩电压和电流
封装图片展示
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF7495TRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
SW-REG/开关电源
N沟道
增强型
2.5W
7.3A
100V
其他IC