深圳公司现货IR/LED驱动MOS管SOP-8原装IR2184STRPBF场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳四海联创电子科技有限公司

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特点
浮动通道设计为引导操作
*运作,以 600 V
负瞬态电压
dV / dt的免疫
10日至20V栅*驱动电压范围
两个通道欠压锁定
3.3V和5V输入逻辑兼容
两个通道匹配传播延迟
逻辑与电源地 / - 5V的偏移量。
获得更好的噪声*降低的di / dt栅*驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4A/1.8A


描述
IR2184(4)(S)是高电压,
*功率MOSFETIGBT
依赖和低驱动程序
侧参考输出通道PRO-
专有的HVIC和锁存免疫
CMOS技术使耐用的
dized单片式结构。
逻辑输入标准兼容
CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V
逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级设计forminimum驱动器跨导浮动通道可以被用来驱动一个N-沟道功率MOSFET或
IGBT在高配置的可在*600伏

封装图片展示
















材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IR2184STRPBF

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

MOS-HBM/半桥组件

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

电压 - 电源

10 V ~ 20 V

高压侧电压 - 值

600V

电流 - 峰值

1.9A