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产品属性
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MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
参数
配置 (高端和低端,同步)
输入类型 (非反相)
延迟时间 (750ns)
电流 - 峰值 (250mA)
配置数 (1)
输出数 (2)
高压侧电压 - *大值(自举) ( 600V)
电压 - 电源 (10 V ~ 20 V)
工作温度 (-40°C ~ 125°C)
特点
浮动通道设计为引导操作
*运作,以 600 V
耐负瞬态电压
dV / dt的免疫
从10日至20V的栅*驱动电压范围
两个通道欠压锁定
CMOS施密特触发器输入端采用下拉
两个通道的匹配传播延迟
内部设置*区时间
相高侧输出与输入
也可用LEAD-FREE
描述
IR2111(S)是一种高电压,*功率
MOSFET和IGBT驱动器,依赖高
低侧参考输出通道设计为半
桥应用。专有HVIC和锁存
免疫CMOS技术使坚固耐用
单片式结构。逻辑输入兼容
标准CMOS输出。输出驱动器具有
高脉冲电流缓冲级,设计
驱动器跨导。内部*区时间
避免直通输出半桥式。“
浮动通道可用来驱动的的N-channelpowerMOSFET或IGBT在高侧配置的可在*600伏。
封装图片展示
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IR2111STRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
TR/激励、驱动
N沟道
增强型
SOP-8
600V
10 V ~ 20 V