深圳公司现货IR/LED驱动MOS管SOP-8原装IR2111STRPBF场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

参数
配置  (高端和低端,同步)
输入类型  (非反相)
延迟时间  (750ns)
电流 - 峰值  (250mA)
配置数  (1)
输出数  (2)
高压侧电压 - *大值(自举) ( 600V)
电压 - 电源  (10 V ~ 20 V)
工作温度  (-40°C ~ 125°C)

特点

浮动通道设计为引导操作
*运作,以 600 V
负瞬态电压
dV / dt的免疫
10日至20V栅*驱动电压范围
两个通道欠压锁定
CMOS施密特触发器输入端采用下拉
两个通道匹配传播延迟
内部设置*区时间
侧输出输入
也可用LEAD-FREE


描述
IR2111(S)是一种高电压,*功率
MOSFETIGBT驱动器,依赖
侧参考输出通道设计
桥应用。专有HVIC和锁存
免疫CMOS技术使坚固耐用
单片式结构。逻辑输入兼容
标准CMOS输出输出驱动器具有
高脉冲电流缓冲级,设计
驱动器跨导内部*区时间
避免直通输出半桥式
浮动通道可用来驱动N-channelpowerMOSFETIGBT在高配置的可在*600伏

封装图片展示













材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IR2111STRPBF

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

TR/激励、驱动

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装

SOP-8

高压侧电压 - 值

600V

电压 - 电源

10 V ~ 20 V