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产品属性
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标准包装:8000,1
包装类型:带卷 (TR),剪切带 (CT),Digi-Reel®
RoHS规范:无铅 / 环保型
产品描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963
产品变化通告:Wire Bond Change 01/Dec/2010
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):220mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):12.5pF @ 15V
功率 - 最大值:125mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-963
供应商器件封装:SOT-963
NTUD3170NZT5G
ON(安森美)
SOT-963
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
0.10
1≧99
8000