2N7002 原装，假一罚十

标准包装：3000，1

包装类型：带卷 (TR)，剪切带 (CT)

RoHS规范：无铅

产品描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：115mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 25V

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23