SI2323DS-T1原装，假一罚十

标准包装：3000

包装类型：带卷 (TR)

RoHS规范：无铅 / 环保型

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：19nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1020pF @ 10V

功率 - 最大值：750mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）