DMN6066SSD-13 原装，假一罚十

标准包装：2500，1

包装类型：带卷 (TR)，剪切带 (CT)

RoHS规范：无铅 / 环保型

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：66 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：502pF @ 30V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP