晶体管 SI4630DY-T1-E3 MOSFET - 单

地区:广东 深圳
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SI4630DY-T1-E3介绍:

描述 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO

表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.7 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 161nC @ 10V

Vgs(最大值) ±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6670pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),7.8W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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在一般分布式MOSFET元件(discrete device)中,通常把基极和源极接在一起,故分布式MOSFET通常为三端元件。而在积体电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极(common bulk),所以不标示出基极的极性,而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。


类别

分立半导体产品

封装

8-SOIC

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

品牌

Vishay