供应SIA450DJ-T1-GE3分立半导体产品

零件编号 SIA450DJ-T1-GE3-ND

现有数量 5000

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SIA450DJ-T1-GE3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 240V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.52A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 7.04nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 167pF @ 120V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.3W（Ta），15W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.9 欧姆 @ 700mA，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 单

封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6

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