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产品属性
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IRFB4110PBF 产品信息:
一般信息
数据列表 IRFB4110PbF;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 4.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 210nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 9620pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(值) 370W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
IRFB4110PBF 技术资料:
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品牌资料:
Infineon公司是十大半导体制造商之一。1999年5月1日,西门子半导体公司正式更名为Infineon,总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年Infineon公司是十大半导体制造商之一。该公司在亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂,在九个国家设有16个研发中心,1998年员工约25,000人,主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。
IRFB4110PBF
Infineon
TO-220-3
21+