供应IRFB4110PBF Infineon TO-220-3 分立半导体

地区:广东 深圳
认证:

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IRFB4110PBF  产品信息:



一般信息

数据列表 IRFB4110PbF;

标准包装   50

包装   管件  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 HEXFET®

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 4.5 毫欧 @ 75A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 210nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 9620pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(值) 370W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3



IRFB4110PBF  技术资料:


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品牌资料:

Infineon公司是十大半导体制造商之一。1999年5月1日,西门子半导体公司正式更名为Infineon,总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年Infineon公司是十大半导体制造商之一。该公司在亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂,在九个国家设有16个研发中心,1998年员工约25,000人,主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。

型号/规格

IRFB4110PBF

品牌/商标

Infineon

封装

TO-220-3

批号

21+