供应MOSFET管NTB082N65S3F

地区:广东 深圳
认证:

深圳市赛奥斯科技有限公司

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产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 82 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 81 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 313 W
通道模式: Enhancement
系列: SuperFET3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间: 79 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 1.485 g

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型号/规格

NTB082N65S3F

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

TO263

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

大功率

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:40 A

-55C

+150C