供应MOSFET管FDBL86062-F085

地区:广东 深圳
认证:

深圳市赛奥斯科技有限公司

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产品种类: MOSFET
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-LL8-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 300 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 124 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 429 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: FDBL86062_F085
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 31 ns
零件号别名: FDBL86062_F085
单位重量: 850.052 mg

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主营范围:ic公司经营的主要优势品牌有:AD、MAXIM、NXP、TI、ST、ATMEL、IR等。并兼营各系列二、三极管、电容电阻、模块、开关,继电器及其它电子元件,提供的配单服务,可为您寻找**级、工业级、偏冷门、已停产的各系列IC器件。产品的应用领域涉及:IT、通信、遥控、控制系统、汽车、机械、仪表、家电控制、军用、航空、和卫星等行业。

型号/规格

FDBL86062-F085

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

TO-LL8L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

大功率

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:300 A

-55C

+175C