产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 22 A Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V Qg-栅极电荷: 39 nC 工作温度: - 55 C 工作温度: %2B 150 C Pd-功率耗散: 190 W 通道模式: Enhancement 商标名: MDmesh 系列: STB28N60DM2 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: STMicroelectronics 配置: Single 下降时间: - 正向跨导 - 值: - 产品类型: MOSFET 上升时间: - 工厂包装数量: 1000 子类别: MOSFETs 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: - 典型接通延迟时间: - 单位重量: 4 gSTB28N60DM2 STB28N60DM2 STB28N60DM2 STB28N60DM2 STB28N60DM2
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