供应MOSFET管STB28N60DM2

地区:广东 深圳
认证:

深圳市赛奥斯科技有限公司

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产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 22 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
系列: STB28N60DM2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: -
正向跨导 - 值: -
产品类型: MOSFET
上升时间: -
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: -
典型接通延迟时间: -
单位重量: 4 g

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型号/规格

STB28N60DM2

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

大功率

栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压:3 V

-55C

+150C