产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 68.5 A Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 300 nC 工作温度: - 55 C 工作温度: %2B 150 C Pd-功率耗散: 500 W 通道模式: Enhancement 商标名: CoolMOS 系列: CoolMOS CFD2 封装: Tube 商标: Infineon Technologies 配置: Single 下降时间: 8 ns 高度: 21.1 mm 长度: 16.13 mm 产品类型: MOSFET 上升时间: 28 ns 工厂包装数量: 240 子类别: MOSFETs 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 127 ns 典型接通延迟时间: 34 ns 宽度: 5.21 mm 零件号别名: IPW65R041CFDFKSA1 SP000756288 IPW65R041CFDFKSA1 单位重量: 6 g产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 68.5 A Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 300 nC 工作温度: - 55 C 工作温度: %2B 150 C Pd-功率耗散: 500 W 通道模式: Enhancement 商标名: CoolMOS 系列: CoolMOS CFD2 封装: Tube 商标: Infineon Technologies 配置: Single 下降时间: 8 ns 高度: 21.1 mm 长度: 16.13 mm 产品类型: MOSFET 上升时间: 28 ns 工厂包装数量: 240 子类别: MOSFETs 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 127 ns 典型接通延迟时间: 34 ns 宽度: 5.21 mm 零件号别名: IPW65R041CFDFKSA1 SP000756288 IPW65R041CFDFKSA1 单位重量: 6 gIPW65R041CFD IPW65R041CFD IPW65R041CFD IPW65R041CFD IPW65R041CFD
深圳市赛奥斯科技有限公司是一家极具实力zhuan业从事IC集成电路，电子元器件的代理分销机构。不但拥有大量的现货库存和良好的价格。在亚洲、欧美有着良好的供货渠道，并且有固定的OEM客户关系。公司创建至今，全体团队与时俱进，努力完善公司的he心价值观，建立强大的销售平台，实施公司的he心文化（诚信、共同发展、开拓创新）。与美国、欧盟、韩国、日本、等诸多IC品牌代理商建立稳定的作关系,并合赢得各界的信赖与支持。为建立quan球性的贸易平台,成为zhu名的 IC 独立分销商奠定了磐石般的基础。为您提供优质的售后服务。主营范围：ic公司经营的主要优势品牌有：AD、MAXIM、NXP、TI、ST、ATMEL、IR等。并兼营各系列二、三极管、电容电阻、模块、开关，继电器及其它电子元件,提供的配单服务，可为您寻找＊＊级、工业级、偏冷门、已停产的各系列IC器件。产品的应用领域涉及：IT、通信、遥控、控制系统、汽车、机械、仪表、家电控制、军用、航空、和卫星等行业。
