RGS80TSX2DHRC11 IGBT 晶体管

制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247N-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极zui大电压: - 30 V, 30 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 555 W
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 175 C
资格: AEC-Q101
封装: Tube
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 500 nA
产品类型: IGBT Transistors
30
子类别: IGBTs
零件号别名: RGS80TSX2DHR
单位重量: 9.128 g

型号/规格

RGS80TSX2DHRC11

品牌/商标

罗姆/ROHM

封装

TO-247N

批号

23+

供应 RGS80TSX2DHRC11 IGBT 晶体管