制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 123 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 391 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 2.8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 771.020 mg
