供应存储 > 闪存 M28W640HCB70N6F
地区：广东 深圳
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产品属性
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| 参数名称 | 参数值 |
| 是否无铅 | 不含铅 不含铅 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1271901689 |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 9.38 |
| 其他特性 | BOTTOM BOOT BLOCK |
| 启动块 | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 8,127 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 页面大小 | 4 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 部门规模 | 4K,32K |
| 子类别 | Flash Memories |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 12 mm |
M28W640HCB70N6F
ST
TSOP48
22+
