供应晶体管 FGAF40N60SMD

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

金牌会员13年

全部产品 进入商铺
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3PF
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 115 W
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
系列: FGAF40N60SMD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
子类别: IGBTs
单位重量: 7 g
型号/规格

FGAF40N60SMD

品牌/商标

ON

封装

TO-3PF

批号

22+