供应NTD2955T4G 场效应管 一线品牌

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 55 W
通道模式: Enhancement
系列: NTD2955
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 48 ns
正向跨导 - 值: 8 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 340 mg
型号/规格

NTD2955T4G

品牌/商标

ON

封装

TO-252

批号

22+