供应晶体管 > 功率场效应晶体管 STW26NM60N

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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Source Content uid STW26NM60N
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 2127890684
零件包装代码 TO-247
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 53 weeks 3 days
风险等级 1900/1/0 18:00
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023/3/7 16:10
YTEOL 6
雪崩能效等级(Eas) 610 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
型号/规格

STW26NM60N

品牌/商标

ST/意法

封装

sop

批号

22+