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产品属性
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AO4701场效应管参数:
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):49 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):9.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):952pF @ 15V
FET 功能:肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值):2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
场效应管的使用注意事项:
为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。
在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。
AO4701
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装