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AO4476场效应管将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。 该器件适合用作SMPS和通用应用中的高侧开关.
AO4476场效应管规格:
制造商零件编号:AO4476A
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.7 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1380pF @ 15V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
场效应管的作用:
一、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
二、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
三、场效应管可以用作电子开关。
AO4476
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装