仙童场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市创芯联盈电子有限公司

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    仙童场效应管参数:

    型号:FQU1N60C

    FET 类型:N 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):600V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):11.5 欧姆 @ 500mA,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6.2nC @ 10V

    Vgs(最大值):±30V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):170pF @ 25V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):2.5W(Ta),28W(Tc)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:通孔

    供应商器件封装:I-PAK

    封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA


    MOS场效应晶体管使用注意事项:

    MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则:

    (1). MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装

    (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。

    (3). 焊接用的电烙铁必须良好接地。

    (4). 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。

    


型号/规格

全系列

品牌/商标

仙童

封装形式

直插

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装