AO4403场效应管

    AO4403场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。 该设备适合用作负载开关或PWM应用。 源引线被分开以允许与源的开尔文连接，可用于绕过源电感。 标准产品AO4403是无铅的（符合ROHS＆Sony 259规格）。

    AO4403场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4403

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC

    系列：-

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 6.1A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.3nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1128pF @ 15V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC