AO4801A场效应管AOS原装现货

地区:广东 深圳
认证:

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AO4801A场效应管规格:

造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

描述:MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):40V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):650pF @ 20V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC


AO4801A场效应管采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。


场效应管应用领域:

1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

3:交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车

4:绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器AO4801A场效应管

型号/规格

AO4801A场效应管

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOP

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装