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产品属性
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AO4437场效应管规格:
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 11A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):47nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4750pF @ 6V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
场效应管的参数:
① 开启电压VGS(th) (或VT)
开启电压是MOS增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通
② 夹断电压VGS(off) (或VP)
夹断电压是耗尽型FET的参数,当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零
③ 饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流
AO4437
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装