AO4437场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市创芯联盈电子有限公司

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    AO4437场效应管规格:

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):12V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 11A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):47nC @ 4.5V

    Vgs(最大值):±8V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4750pF @ 6V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):3W(Ta)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:8-SOIC

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


    场效应管的参数:

    ① 开启电压VGS(th) (或VT)

    开启电压是MOS增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通

    ② 夹断电压VGS(off) (或VP)

    夹断电压是耗尽型FET的参数,当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零

    ③ 饱和漏极电流IDSS

    耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流


型号/规格

AO4437

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装