AO4443L场效应管

    AO4443L场效应管规格：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：40V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.5A（Ta）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：42 毫欧 @ 6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14.2nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：657pF @ 20V

    功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管的参数：

    ① 开启电压VGS(th) (或VT)

    开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通

    ② 夹断电压VGS(off) (或VP)

    夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零

    ③ 饱和漏极电流IDSS

    耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流

    ④ 输入电阻RGS

    场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω