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AO4407场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。 *符合RoHS和无卤素标准
AO4407场效应管参数:
制造商零件编号:AO4407A
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11 毫欧 @ 12A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2600pF @ 15V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
AO4407
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装