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产品属性
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AO3418场效应管采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极工作电压低至2.5V。 该设备适合用作负载开关或PWM应用。
AO3418场效应管规格:
ET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 15V
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
制造商零件编号:AO3418
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23
系列:-
VDS 30V
ID(at VGS=10V) 3.8A
RDS(ON)(at VGS=10V) < 55mΩ
RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 65mΩ
RDS(ON) (at VGS=2.5V) < 85mΩ
AO3418
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装