AO3418场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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    AO3418场效应管采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极工作电压低至2.5V。 该设备适合用作负载开关或PWM应用。


    AO3418场效应管规格:

    ET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.8A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 3.8A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.2nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 15V

    功率 - 最大值:1.4W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    供应商器件封装:SOT-23-3

    制造商零件编号:AO3418

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23

    系列:-

    VDS    30V

    ID(at VGS=10V) 3.8A

    RDS(ON)(at VGS=10V) < 55mΩ

    RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 65mΩ

    RDS(ON) (at VGS=2.5V) < 85mΩ

    


型号/规格

AO3418

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装