供应TP0610K-T1-GE3 P沟道MOSFET

型号：TP0610K-T1-GE3

品牌：Vishay Semiconductors

描述：分立式半导体 P沟道60 VMOSFET

MOSFET 60V 0.185A 350mW功率  10ohm @ 4.5V

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P通道

汲极/源极击穿电压：60 V

闸/源击穿电压：+/- 20 V

漏极连续电流：185 mA

导通电阻：6 Ohms

最大工作温度：+ 150 C

供应商标准封装：TO-236

封装类型：Reel/卷盘

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：350 mW

工厂包装数量：3000

其它名称：TP0610K-GE3

价格： 面议

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体MOS管TP0610K-T1-GE3

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